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パワーエレクトロニクス ミニテスト【第3回】

パワーエレクトロニクス」のミニテスト第3回(全5問)です。

パワーエレクトロニクス ミニテスト

第1回 第2回 第3回

テストの使い方

まず自分で答えを考えてから「解答を見る」をタップしてください。間違えた問題は解説記事に戻って確認すると効果的です。

第1問

超高速スイッチングが可能で、小容量・高周波用途に適した素子はどれか。

(1)サイリスタ
(2)GTO
(3)IGBT
(4)MOSFET
(5)ダイオード

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正解:(4)MOSFET
MOSFET は超高速スイッチングが可能で、スイッチング電源やDC-DCコンバータなど小容量・高周波の用途に最適です。IGBT は中〜大容量向きです。

第2問

単相半波整流回路の平均直流電圧は入力交流電圧 V に対しておよそどれか。

(1)0.45V
(2)0.9V
(3)1.35V
(4)1.8V
(5)2.34V

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正解:(1)0.45V
単相半波 = 0.45V、単相全波 = 0.9V、三相全波 = 2.34V。半波はダイオード 1 個の最も単純な回路ですが、脈動が大きいのが欠点です。

第3問

サイクロコンバータの変換形式はどれか。

(1)AC → DC
(2)DC → AC
(3)DC → DC
(4)AC → AC
(5)DC → DC → AC

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正解:(4)AC → AC
サイクロコンバータは交流から直接異なる周波数の交流を作る装置です。大容量の低速電動機(圧延機など)の速度制御に使われます。

第4問

降圧チョッパで入力電圧 400 V、通流率 0.35 のとき、出力電圧 [V] はどれか。

(1)80
(2)100
(3)120
(4)140
(5)160

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正解:(4)140
Eout = γ × Ein = 0.35 × 400 = 140 V

第5問

半導体素子のうち、自己消弧ができないものはどれか。

(1)GTO
(2)IGBT
(3)MOSFET
(4)サイリスタ
(5)パワートランジスタ

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正解:(4)サイリスタ
サイリスタはゲート信号で ON にできますが、OFF にするには電流をゼロにする(他励消弧)必要があります。GTO・IGBT・MOSFET・パワートランジスタはすべて自己消弧が可能です。

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