理論

【電験三種・理論】半導体と電子回路(ダイオード・トランジスタ・FET・オペアンプ)

結論:半導体は「電気の流れをコントロールする素子」

ここでは電子回路の基本部品――ダイオード、トランジスタ、FET、オペアンプを学びます。電験三種では暗記中心の出題が多く、公式よりも各素子の特徴や動作原理を問われます。

➡ ダイオード

電流を一方通行にする

📡 トランジスタ

小さな信号で
大きな電流を増幅

🔌 FET

電圧で電流を
制御する素子

半導体の基礎 ― 導体と絶縁体のあいだ

半導体とは?

物質は電気の通しやすさで3つに分類されます。

分類 抵抗率
導体 低い 銅、アルミニウム
半導体 中間 シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)
絶縁体 高い ガラス、ゴム

n型とp型

純粋なシリコンに不純物を混ぜる(ドーピング)ことで、電気的性質を変えられます。

n型半導体 p型半導体
不純物 5価(リン、ヒ素) 3価(ホウ素、インジウム)
多数キャリア 電子(−) 正孔(+)
名前の由来 negative(負) positive(正)

覚え方:「n型 = 電子が多い = 5価の不純物」「p型 = 正孔が多い = 3価の不純物」。5価の元素は電子が1個余り、3価の元素は電子が1個足りない(=正孔ができる)と覚えましょう。

半導体の温度特性

試験頻出:半導体は温度が上がると抵抗が下がる(負の温度係数)。金属とは逆です。温度上昇でキャリアが増えるため、電流が流れやすくなります。

ダイオード ― 電流の一方通行

pn接合ダイオード

p型とn型を接合した素子。順方向(p→n)にだけ電流を流す「電気の逆止弁」です。

バイアス 状態 説明
順方向 導通 p側に+、n側に−をつなぐと電流が流れる
逆方向 阻止 p側に−、n側に+をつなぐと電流が流れない

特殊なダイオード

種類 特徴 用途
ツェナーダイオード 逆方向に一定電圧で降伏(ツェナー降伏) 定電圧回路
発光ダイオード(LED) 順方向電流で発光 表示灯、照明
フォトダイオード 光を受けると電流が流れる 光センサー

トランジスタ ― 小さな信号を大きくする

バイポーラトランジスタの構成

npn型またはpnp型の3層構造。ベース(B)・コレクタ(C)・エミッタ(E)の3端子を持ちます。

トランジスタの電流関係

IE = IC + IB

IC = hFE × IB

hFE(エイチ・エフ・イー)は直流電流増幅率で、ベース電流がコレクタ電流の何倍に増幅されるかを表します。一般的な値は50〜300程度です。

かみ砕くと:トランジスタは「水道の蛇口」のようなもの。ベース電流(蛇口のひねり具合)を少し変えるだけで、コレクタ電流(水の量)を大きくコントロールできます。

FET ― 電圧で電流を制御する

FETの特徴

FET(電界効果トランジスタ)は、電圧(ゲート電圧)で電流を制御する素子です。

比較項目 バイポーラ FET
制御方法 電流制御 電圧制御
入力インピーダンス 低い 非常に高い
端子名 B・C・E G(ゲート)・D(ドレイン)・S(ソース)
キャリア 多数+少数 多数キャリアのみ

演算増幅器(オペアンプ)

オペアンプの理想特性

特性 理想値
電圧増幅度 ∞(無限大)
入力インピーダンス ∞(電流が流れ込まない)
出力インピーダンス 0(理想電圧源)

反転増幅回路と非反転増幅回路

反転増幅回路の増幅度

Av = −RfR1

非反転増幅回路の増幅度

Av = 1 + RfR1

試験のコツ:反転増幅は「マイナスがつく+Rf/R1だけ」、非反転は「1を足す」。入力が反転端子(−)に入るか、非反転端子(+)に入るかで区別します。

まとめ ― 覚えるべきポイント

素子 最重要ポイント
半導体 n型=5価=電子、p型=3価=正孔、温度↑→抵抗↓
ダイオード 順方向のみ導通、ツェナーは定電圧用
トランジスタ IE=IC+IB、IC=hFE×IB、電流制御
FET 電圧制御、入力インピーダンス極大、G・D・S端子
オペアンプ 反転:−Rf/R1、非反転:1+Rf/R1

学習アドバイス:半導体の問題は暗記が中心です。n型とp型の違い、トランジスタとFETの違い、オペアンプの2つの増幅回路――これらをきちんと区別できれば得点できます。計算量は少ないので、確実な知識の定着がカギです。

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